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1N5233BUR

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 500 mW GLASS SURFACE MOUNT ZENER DIODES
1N5233BUR 技術參數
  • 1N5233B-TR 功能描述:DIODE ZENER 6V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5233BTR 功能描述:DIODE ZENER 6V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5233B-TP 功能描述:DIODE ZENER 6V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5233B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 6V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5233BTA 功能描述:DIODE ZENER 6V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5234B BK 1N5234B TR 1N5234B_S00Z 1N5234B_T50A 1N5234B_T50R 1N5234BDO35 1N5234B-T 1N5234BTA 1N5234B-TAP 1N5234B-TP 1N5234BTR 1N5234B-TR 1N5234BUR-1 1N5234C 1N5234C-TAP 1N5234CTR 1N5234C-TR 1N5234TA
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