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1N5234B-LCC3

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  • 制造商
  • SEME-LAB
  • 制造商全稱
  • Seme LAB
  • 功能描述
  • ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE IN HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
1N5234B-LCC3 技術參數
  • 1N5234BDO35 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5234B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5234B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5234B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5234B TR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5234CTR 1N5234C-TR 1N5234TA 1N5235A 1N5235A (DO-35) 1N5235B 1N5235B (DO-35) 1N5235B A0G 1N5235B BK 1N5235B TR 1N5235B_S00Z 1N5235B_T50A 1N5235B_T50R 1N5235BDO35 1N5235B-T 1N5235BTA 1N5235B-TAP 1N5235B-TP
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