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1N5234UR

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 500 mW GLASS SURFACE MOUNT ZENER DIODES
1N5234UR 技術參數
  • 1N5234TA 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5234C-TR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5234CTR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5234C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5234C 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5235B_T50R 1N5235BDO35 1N5235B-T 1N5235BTA 1N5235B-TAP 1N5235B-TP 1N5235BTR 1N5235B-TR 1N5235BUR-1 1N5235C-TAP 1N5235C-TR 1N5235TA 1N5236A 1N5236A (DO-35) 1N5236B 1N5236B (DO-35) 1N5236B A0G 1N5236B BK
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