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1N5235B-A

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  • 制造商
  • Diodes Incorporated
  • 功能描述
  • ZENER SGL 6.8V 5% 500MW 2PIN DO-35 AMMO - Ammo Pack
1N5235B-A 技術參數
  • 1N5235B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5235B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5235B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5235B TR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5235B BK 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5235C-TR 1N5235TA 1N5236A 1N5236A (DO-35) 1N5236B 1N5236B (DO-35) 1N5236B A0G 1N5236B BK 1N5236B TR 1N5236B_S00Z 1N5236B_T26A 1N5236B_T50A 1N5236B_T50R 1N5236BDO35 1N5236BDO35E3 1N5236B-T 1N5236BTA 1N5236B-TAP
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