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1N5238-BP

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  • 制造商
  • MCC
  • 制造商全稱
  • Micro Commercial Components
  • 功能描述
  • 500 mW Zener Diode 2.4 to 75 Volts
1N5238-BP 技術參數
  • 1N5238B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5238B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5238B TR 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5238B BK 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5238B A0G 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5238TA 1N5239A 1N5239A (DO-35) 1N5239B 1N5239B (DO-35) 1N5239B A0G 1N5239B BK 1N5239B TR 1N5239B_S00Z 1N5239B_T50A 1N5239B_T50R 1N5239BDO35 1N5239B-T 1N5239BTA 1N5239B-TAP 1N5239B-TP 1N5239BTR 1N5239B-TR
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