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1N5240BDO35

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 10V 500MW DO35

1N5240BDO35 技術參數(shù)

1N5240B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5240B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5240B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5240B TR 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5240B BK 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5240TA 1N5241A 1N5241A (DO-35) 1N5241B 1N5241B (DO-35) 1N5241B A0G 1N5241B BK 1N5241B TR 1N5241B_S00Z 1N5241B_T50A 1N5241B_T50R 1N5241B-T 1N5241BTA 1N5241B-TAP 1N5241B-TP 1N5241BTR 1N5241B-TR 1N5241BUR-1