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1N5249B-AP

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1N5249B-AP 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5249B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5249B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5249B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5249B TR 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5249B BK 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N5249TA 1N5250A (DO-35) 1N5250B 1N5250B (DO-35) 1N5250B A0G 1N5250B BK 1N5250B TR 1N5250B_S00Z 1N5250B_T50A 1N5250B_T50R 1N5250B-T 1N5250BTA 1N5250B-TAP 1N5250B-TP 1N5250BTR 1N5250B-TR 1N5250BUR-1 1N5250C-TAP
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