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1N5252B SB00018/D8

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制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
ZENER DIODE, 500mW, 24V, DO-35; Zener Voltage Vz Typ

1N5252B SB00018/D8 技術參數

1N5252B BK 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5252B A0G 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5252B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5252B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5252A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5252B-TR 1N5252C-TAP 1N5252C-TR 1N5252TA 1N5253A 1N5253A (DO-35) 1N5253B 1N5253B (DO-35) 1N5253B A0G 1N5253B BK 1N5253B TR 1N5253B_S00Z 1N5253B_T50R 1N5253B-T 1N5253BTA 1N5253B-TAP 1N5253B-TP 1N5253BTR