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1N5257B BK

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 33V 500MW DO35
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態
  • 有效
  • 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
  • 33V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗（最大值）（Zzt）
  • 58 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 25V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 200°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH，DO-35，軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 2,500
1N5257B BK 技術參數
  • 1N5257B A0G 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5257B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5257B 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5257A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5257A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5257BTR 1N5257B-TR 1N5257BUR-1 1N5257C-TAP 1N5257C-TR 1N5257TA 1N5258A 1N5258A (DO-35) 1N5258B 1N5258B (DO-35) 1N5258B A0G 1N5258B BK 1N5258B TR 1N5258B_T50A 1N5258B_T50R 1N5258B-T 1N5258BTA 1N5258B-TAP
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