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1N5258BD2B-JQRS.GCDE

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1N5258BD2B-JQRS.GCDE 技術參數
  • 1N5258B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5258B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5258B TR 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5258B BK 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5258B A0G 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5259A 1N5259A (DO-35) 1N5259B 1N5259B (DO-35) 1N5259B A0G 1N5259B BK 1N5259B TR 1N5259B_T50A 1N5259B_T50R 1N5259B-T 1N5259BTA 1N5259B-TAP 1N5259B-TP 1N5259B-TR 1N5259BUR-1 1N5259C-TAP 1N5259C-TR 1N5259TA
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