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1N5266B-G

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

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    電話:137602720171348786585218520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 12988

  • Comchip Technology

  • DO-204AH, DO-35, Axi

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1N5266B-G 技術參數
  • 1N5266BDO35 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5266B TR 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5266B BK 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5266B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5266B 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 49V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5267A (DO-35) 1N5267B 1N5267B (DO-35) 1N5267B BK 1N5267B TR 1N5267BDO35 1N5267B-T 1N5267B-TAP 1N5267B-TP 1N5267B-TR 1N5267BUR-1 1N5267C-TAP 1N5267C-TR 1N5268A 1N5268A (DO-35) 1N5268B (DO-35) 1N5268B AP 1N5268B BK
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