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1N5266BMSCT

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1N5266BMSCT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
853240
ZENER
原廠封裝
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1N5266BMSCT 技術參數

1N5266BDO35 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:230 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5266B TR 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:230 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5266B BK 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:230 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5266B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:230 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5266B 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:230 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 49V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5267A (DO-35) 1N5267B 1N5267B (DO-35) 1N5267B BK 1N5267B TR 1N5267BDO35 1N5267B-T 1N5267B-TAP 1N5267B-TP 1N5267B-TR 1N5267BUR-1 1N5267C-TAP 1N5267C-TR 1N5268A 1N5268A (DO-35) 1N5268B (DO-35) 1N5268B AP 1N5268B BK