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1N5266C-35T/R

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1N5266C-35T/R 技術參數
  • 1N5266BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5266B-TR 功能描述:Zener Diode 68V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5266B-TP 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5266B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 1.8A 68V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5266B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:生命周期結束 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5267BDO35 1N5267B-T 1N5267B-TAP 1N5267B-TP 1N5267B-TR 1N5267BUR-1 1N5267C-TAP 1N5267C-TR 1N5268A 1N5268A (DO-35) 1N5268B (DO-35) 1N5268B AP 1N5268B BK 1N5268B TR 1N5268BDO35 1N5268B-TP 1N5268BUR-1 1N5269A
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