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1N5282 D/C03

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1N5282 D/C03 技術參數

1N5282 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 55V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:2,000 1N5281BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5281BDO35TR 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5281B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5281B 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 1N5287-1 1N5287UR-1 1N5288-1 1N5288UR-1 1N5289-1 1N5289UR-1 1N5291-1 1N5291UR-1 1N5292-1 1N5292UR-1 1N5293-1 1N5293UR-1 1N5294-1 1N5294UR-1 1N5295UR-1 1N5296-1 1N5296UR-1 1N5297-1