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1N5282TR

配單專家企業名單

型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

1N5282TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

1N5282TR
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
20000
FAIRCHILD
2015+
-
公司現貨!只做原裝!

1N5282TR
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
16159
Fairchild Semiconductor
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

1N5282TR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
FAIRCHILD
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

1N5282TR
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
10000
FAIRCHILD (ON SEMICONDUCT
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

1N5282TR
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場1713室
30000
ON/安森美
SMD
20+
-
訂貨中可預訂

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功能描述
整流器 Vr/80V Io/200mA T/R
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N5282TR 技術參數

1N5282_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 55V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:30,000 1N5282 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 55V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:2,000 1N5281BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5281BDO35TR 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5281B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5288-1 1N5288UR-1 1N5289-1 1N5289UR-1 1N5291-1 1N5291UR-1 1N5292-1 1N5292UR-1 1N5293-1 1N5293UR-1 1N5294-1 1N5294UR-1 1N5295UR-1 1N5296-1 1N5296UR-1 1N5297-1 1N5298-1 1N5298UR-1