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1N5334CE3/TR12

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 5.0W, VZ = 3.6V, ? 2% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 5.0W 3.6V 2% T-18
1N5334CE3/TR12 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5334C/TR8 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5334C/TR12 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5334BRLG 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N5334BRL 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標準包裝:4,000 1N5334BG 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標準包裝:1,000 1N5335AE3/TR12 1N5335AE3/TR13 1N5335AE3/TR8 1N5335B 1N5335B/TR12 1N5335B/TR8 1N5335BE3 1N5335BE3/TR12 1N5335BE3/TR13 1N5335BE3/TR8 1N5335BG 1N5335BRL 1N5335BRLG 1N5335C/TR12 1N5335C/TR8 1N5335CE3/TR12 1N5335CE3/TR13 1N5335CE3/TR8
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