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1N5342ATR

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Silicon 5 Watt Zener Diodes
1N5342ATR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5342AE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5342AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5342AE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5342A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5342A/TR12 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5342B-TP 1N5342C/TR12 1N5342C/TR8 1N5342CE3/TR12 1N5342CE3/TR13 1N5342CE3/TR8 1N5342E3/TR12 1N5342E3/TR13 1N5342E3/TR8 1N5343/TR12 1N5343/TR8 1N5343A/TR12 1N5343A/TR8 1N5343AE3/TR12 1N5343AE3/TR13 1N5343AE3/TR8 1N5343B 1N5343B/TR12
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