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1N5356TR

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Silicon 5 Watt Zener Diodes
1N5356TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5356E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:19V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5356E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:19V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5356E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:19V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5356CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:19V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5356CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:19V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5357B/TR8 1N5357BE3/TR12 1N5357BE3/TR13 1N5357BE3/TR8 1N5357BG 1N5357BRL 1N5357BRLG 1N5357B-TP 1N5357C/TR12 1N5357C/TR8 1N5357CE3/TR12 1N5357CE3/TR13 1N5357CE3/TR8 1N5357E3/TR12 1N5357E3/TR13 1N5357E3/TR8 1N5358/TR12 1N5358/TR8
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