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1N5357B-LFR

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  • 制造商
  • FRONTIER
  • 制造商全稱
  • Frontier Electronics.
  • 功能描述
  • 5 WATT SILICON ZENER DIODE
1N5357B-LFR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5357BG 功能描述:DIODE ZENER 20V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 15.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5357BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 20V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 14.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5357BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 20V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 14.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5357BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 20V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 14.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5357B/TR8 功能描述:DIODE ZENER 20V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 14.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5357E3/TR13 1N5357E3/TR8 1N5358/TR12 1N5358/TR8 1N5358A/TR12 1N5358A/TR8 1N5358AE3/TR12 1N5358AE3/TR13 1N5358AE3/TR8 1N5358B 1N5358B/TR12 1N5358B/TR8 1N5358BE3/TR12 1N5358BE3/TR13 1N5358BE3/TR8 1N5358BG 1N5358BRL 1N5358BRLG
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