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1N5363BRL(5W30V)

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1N5363BRL(5W30V) 技術(shù)參數(shù)

1N5363BRL 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N5363BG 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5363BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5363BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5363BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5363E3/TR8 1N5364/TR12 1N5364/TR8 1N5364A/TR12 1N5364A/TR8 1N5364AE3/TR12 1N5364AE3/TR13 1N5364AE3/TR8 1N5364B 1N5364B/TR12 1N5364B/TR8 1N5364BE3/TR12 1N5364BE3/TR13 1N5364BE3/TR8 1N5364BG 1N5364BRL 1N5364BRLG 1N5364B-TP