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1N5388DTR

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1N5388DTR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5388CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:200V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 144V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5388CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:200V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 144V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5388CE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:200V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 144V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5388C/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:200V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 144V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5388C/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:200V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 144V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5391GHA0G 1N5391GHB0G 1N5391GHR0G 1N5391GP-E3/54 1N5391GPHE3/54 1N5391G-T 1N5391S-T 1N5391-T 1N5392 1N5392-E3/54 1N5392-E3/73 1N5392G A0G 1N5392G B0G 1N5392G R0G 1N5392GHA0G 1N5392GHB0G 1N5392GHR0G 1N5392G-T
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