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1N5391-13

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1N5391-13 技術參數
  • 1N5391 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應商器件封裝:DO-15 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:4,000 1N5388E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 144V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5388E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 144V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5388E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 144V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5388CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 144V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5391GPHE3/54 1N5391G-T 1N5391S-T 1N5391-T 1N5392 1N5392-E3/54 1N5392-E3/73 1N5392G A0G 1N5392G B0G 1N5392G R0G 1N5392GHA0G 1N5392GHB0G 1N5392GHR0G 1N5392G-T 1N5392S-T 1N5392-T 1N5393 1N5393-E3/54
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