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1N5392B/P

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1N5392B/P 技術參數

1N5392 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO15 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-15 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:4,000 1N5391-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:20pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-15 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:4,000 1N5391S-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:20pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N5391G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-15 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 1N5391GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 1N5392S-T 1N5392-T 1N5393 1N5393-E3/54 1N5393-E3/73 1N5393G A0G 1N5393G B0G 1N5393G R0G 1N5393GHA0G 1N5393GHB0G 1N5393GHR0G 1N5393GP-E3/54 1N5393GP-E3/73 1N5393GPHE3/54 1N5393GPHE3/73 1N5393G-T 1N5393S-T 1N5393-T