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1N5400/4H

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1N5400/4H 技術參數

1N5400 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5399-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:20pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-15 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:4,000 1N5399S-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:20pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N5399G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-15 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 1N5399GPHE3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 1N5400GHA0G 1N5400GHB0G 1N5400GHR0G 1N5400GP-TP 1N5400G-T 1N5400RL 1N5400RLG 1N5400-T 1N5400TA 1N5400T-G 1N5400-TP 1N5401 1N5401/54 1N5401-B 1N5401-E3/54 1N5401-E3/73 1N5401G 1N5401-G