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1N5533B-1

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  • 制造商
  • CDI-DIODE
  • 制造商全稱
  • Compensated Deuices Incorporated
  • 功能描述
  • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS
1N5533B-1 技術參數
  • 1N5533B 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 11.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5532BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 10.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N5532B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 10.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5532B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5531BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5538B 1N5538BUR-1 1N5539B 1N5539BUR-1 1N5540B 1N5540BUR-1 1N5541B 1N5542B 1N5542BUR-1 1N5543B 1N5543BUR-1 1N5544B 1N5544BUR-1 1N5545B 1N5545BUR-1 1N5546B 1N5546BUR-1 1N5550
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