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1N5541B-1

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1N5541B-1 技術參數
  • 1N5541B 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):108 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 19.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5540BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5540B 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):107 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5539BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5539B 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):106 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 17.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5546BUR-1 1N5550 1N5550C.TR 1N5550US 1N5551 1N5551C.TR 1N5551US 1N5552 1N5552/TR 1N5552C.TR 1N5552US 1N5552US/TR 1N5553 1N5553C.TR 1N5553US 1N5554 1N5554C.TR 1N5554US
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