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1N5550-1

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1N5550-1 技術參數
  • 1N5550 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5546BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5546B 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):113 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5545BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5545B 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):112 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5552US/TR 1N5553 1N5553C.TR 1N5553US 1N5554 1N5554C.TR 1N5554US 1N5554US/TR 1N5555 1N5556 1N5557 1N5558 1N5610 1N5611 1N5613 1N5614 1N5614GP-E3/54 1N5614GP-E3/73
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