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1N5551JAN

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  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 851

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

  • 1N5551JAN
    1N5551JAN

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • MICROSEMICORPORATION

  • 原廠封裝

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  • 1N5551JAN
    1N5551JAN

    1N5551JAN

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 851

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 制造商
  • SEM
  • 功能描述
1N5551JAN 技術參數
  • 1N5551C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5551 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:要求報價 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5550US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5550C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5550 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5554 1N5554C.TR 1N5554US 1N5554US/TR 1N5555 1N5556 1N5557 1N5558 1N5610 1N5611 1N5613 1N5614 1N5614GP-E3/54 1N5614GP-E3/73 1N5614GPHE3/54 1N5614US 1N5615 1N5615GP-E3/54
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