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1N5553US T/R

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
1N5553US T/R 技術參數
  • 1N5553US 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5553C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5553 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5552US/TR 功能描述:STD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5552US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5611 1N5613 1N5614 1N5614GP-E3/54 1N5614GP-E3/73 1N5614GPHE3/54 1N5614US 1N5615 1N5615GP-E3/54 1N5615GP-E3/73 1N5615GPHE3/54 1N5615US 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR
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