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1N5556

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1N5556JAN
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
0
MSC
-
公司現貨,只做原裝！

1N5556A
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
原廠
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

1N5556
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Microsemi Corporation
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1N5556
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
全新原裝貨電話010-62104931...

1N5556
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
-
假一罰十，百分百原裝正品

1N5556JAN
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
0
MSC
-
公司現貨,只做原裝！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DO-13 SD - Bulk

1N5556 技術參數

1N5555 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5554US/TR 功能描述:STD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5554US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5554C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:92pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 1N5554 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5614US 1N5615 1N5615GP-E3/54 1N5615GP-E3/73 1N5615GPHE3/54 1N5615US 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR 1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/73 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54

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