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1N5556TR

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1N5556TR 技術參數(shù)
  • 1N5556 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:40.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:43.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5555 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5554US/TR 功能描述:STD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5554US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5554C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:92pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 1N5614US 1N5615 1N5615GP-E3/54 1N5615GP-E3/73 1N5615GPHE3/54 1N5615US 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR 1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/73 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54
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