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1N5629COX.200

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1N5629COX.200 技術參數
  • 1N5629A 功能描述:TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):5.8V 電壓 - 擊穿(最小值):6.45V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:10.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):143A 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5629 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5627-TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5627-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5627GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,400 1N5634A 1N5635 1N5635A 1N5636 1N5636A 1N5637 1N5637A 1N5637A/TR 1N5637AE3 1N5637AE3/TR 1N5638 1N5638A 1N5639 1N5639A 1N5640 1N5640A 1N5641 1N5641A
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