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1N5730

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON 400MW ZENER DIODES
1N5730 技術參數
  • 1N5729D 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5729C 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5729B 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5728D 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5728C 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5733B 1N5733C 1N5733D 1N5734B 1N5734C 1N5734D 1N5735B 1N5735C 1N5735D 1N5736B 1N5736C 1N5736D 1N5737B 1N5737C 1N5737D 1N5738B 1N5738C 1N5738D
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