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1N5755D

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功能描述
DIODE ZENER 62V 500MW DO35
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
62V
容差
±1%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
215 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100nA @ 43V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
900mV @ 10mA
工作溫度
-65°C ~ 175°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-35
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

1N5755D 技術(shù)參數(shù)

1N5755C 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:62V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5755B 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5754D 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5754C 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5754B 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5770 1N5772 1N5774 1N5802 1N5802US 1N5803 1N5804 1N5804US 1N5805 1N5806 1N5806/TR 1N5806C.TR 1N5806E3/TR 1N5806TR 1N5806US 1N5806US/TR 1N5806USE3 1N5806USE3/TR