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1N5805US

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP
1N5805US 技術參數
  • 1N5805 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):125V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 125V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5804US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5804 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5803 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5802US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5807 1N5807US 1N5808 1N5809 1N5809/TR 1N5809US 1N5809US.TR 1N5811 1N5811C.TR 1N5811TR 1N5811US 1N5811US/TR 1N5812 1N5812R 1N5813 1N5813R 1N5814 1N5814R
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