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1N5818RO

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1N5818RO 技術參數
  • 1N5818RLG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):550mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5818RL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):550mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 1N5818M-13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):550mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-60°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 1N5818HR1G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 時的電容:55pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 1N5818HR0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 時的電容:55pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 1N5819/54 1N5819-1 1N5819-B 1N5819-E3/51 1N5819-E3/53 1N5819-E3/54 1N5819-E3/73 1N5819G 1N5819-G 1N5819HA0G 1N5819HB0G 1N5819HR0G 1N5819HR1G 1N5819HW1-7-F 1N5819HW-7 1N5819HW-7-F 1N5819M-13 1N5819RL
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