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1N5819 (SS14)

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1N5819 (SS14) 技術參數

1N5819 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:110pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5818-TP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5818-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:110pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5818RLG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5818RL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 1N5819-E3/51 1N5819-E3/53 1N5819-E3/54 1N5819-E3/73 1N5819G 1N5819-G 1N5819HA0G 1N5819HB0G 1N5819HR0G 1N5819HR1G 1N5819HW1-7-F 1N5819HW-7 1N5819HW-7-F 1N5819M-13 1N5819RL 1N5819RLG 1N5819-T 1N5819-TP