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1N5819D-T39L

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制造商
SEME-LAB
制造商全稱
Seme LAB
功能描述
DUAL COMMON CATHODE

1N5819D-T39L 技術參數

1N5819-B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:110pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1,000 1N5819-1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:340mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 時的電容:70pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5819/54 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5819 TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N5819 R1G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:600mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 1N5819HR1G 1N5819HW1-7-F 1N5819HW-7 1N5819HW-7-F 1N5819M-13 1N5819RL 1N5819RLG 1N5819-T 1N5819-TP 1N5819UR-1/TR 1N5820 1N5820 A0G 1N5820 B0G 1N5820 R0G 1N5820-B 1N5820-E3/54 1N5820-E3/73 1N5820G