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1N5821H36-3

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1N5821H36-3 技術參數
  • 1N5821G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:500 1N5821-E3/54 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5821-B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5821 R0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1,250 1N5821 B0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:500 1N5822 A0G 1N5822 B0G 1N5822 R0G 1N5822/54 1N5822-B 1N5822-E3/51 1N5822-E3/54 1N5822-E3/73 1N5822G 1N5822HA0G 1N5822HB0G 1N5822HR0G 1N5822RL 1N5822RLG 1N5822-T 1N5822-TP 1N5822US 1N5824
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