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1N5879

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1N5879
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
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1N5879 技術參數

1N5834R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:590mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5834 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:590mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5833R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5833 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5832R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:520mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5913AP/TR8 1N5913APE3/TR12 1N5913APE3/TR8 1N5913B 1N5913B G 1N5913BE3/TR13 1N5913BG 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8 1N5913BPE3/TR12 1N5913BPE3/TR8 1N5913BRL 1N5913BRLG 1N5913BUR-1 1N5913C 1N5913C G 1N5913CE3/TR13 1N5913CP/TR12