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1N5907SX

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  • 制造商
  • Microwave Semiconductor
  • 功能描述
1N5907SX 技術參數
  • 1N5907 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC DO-13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):5V 電壓 - 擊穿(最小值):6V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:8.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):120A 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5834R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):590mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5834 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):590mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5833R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):550mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5833 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):550mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5913APE3/TR12 1N5913APE3/TR8 1N5913B 1N5913B G 1N5913BE3/TR13 1N5913BG 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8 1N5913BPE3/TR12 1N5913BPE3/TR8 1N5913BRL 1N5913BRLG 1N5913BUR-1 1N5913C 1N5913C G 1N5913CE3/TR13 1N5913CP/TR12 1N5913CP/TR8
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