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1N5932BUR-1

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1N5932BUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 20V 5% 1.25W 2PIN DO-213AB - Bulk
1N5932BUR-1 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5932BRNG 功能描述:DIODE ZENER 20V 3W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):14 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5932BRLG 功能描述:DIODE ZENER 20V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):14 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5932BRL 功能描述:DIODE ZENER 20V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):14 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 1N5932BPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 20V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):14 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N5932BPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 20V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):14 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N5932E3/TR13 1N5932P/TR12 1N5932P/TR8 1N5932PE3/TR12 1N5932PE3/TR8 1N5933A 1N5933A G 1N5933AE3/TR13 1N5933AP/TR12 1N5933AP/TR8 1N5933APE3/TR12 1N5933APE3/TR8 1N5933B 1N5933B BK 1N5933B G 1N5933B TR 1N5933BE3/TR13 1N5933BP/TR12
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