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1N6014DTA

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1N6014DTA 技術參數(shù)
  • 1N6014D 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6014C 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6014B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6014B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6014B 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6015UR-1 1N6016A 1N6016B 1N6016B_T50A 1N6016B_T50R 1N6016C 1N6016D 1N6016UR 1N6016UR-1 1N6017A 1N6017B 1N6017B_T50A 1N6017B_T50R 1N6017C 1N6017D 1N6017UR 1N6017UR-1 1N6018A
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