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1N6015C

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 43V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 43V 500MW DO-35

1N6015C 技術(shù)參數(shù)

1N6015B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N6015B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6015B 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6015A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6014UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6016UR 1N6016UR-1 1N6017A 1N6017B 1N6017B_T50A 1N6017B_T50R 1N6017C 1N6017D 1N6017UR 1N6017UR-1 1N6018A 1N6018B 1N6018B_T50A 1N6018B_T50R 1N6018C 1N6018D 1N6018UR 1N6018UR-1