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1N6021DTA

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1N6021DTA 技術(shù)參數(shù)

1N6021D 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:265 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6021C 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:265 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6021B 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:265 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6021A 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:300 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 47V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6020UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6023B 1N6023C 1N6023D 1N6023UR 1N6023UR-1 1N6024A 1N6024B 1N6024C 1N6024D 1N6024UR 1N6024UR-1 1N6025A 1N6025B 1N6025C 1N6025D 1N6025UR 1N6025UR-1 1N6026A