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1N6107S

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1N6107S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N6107S 技術參數

1N6107AUS 功能描述:TVS DIODE 8.4VWM 15.6VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:8.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:10.45V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6107A 功能描述:TVS DIODE 8.4VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:8.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:10.45V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6107 功能描述:TVS DIODE 8.4VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:8.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:9.93V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:16.38V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:30.4A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6106US 功能描述:TVS DIODE 7.6VWM 15.23VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:7.6V 電壓 - 擊穿（最小值）:9.03V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.23V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32.78A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6106AUS 功能描述:TVS DIODE 7.6VWM 14.5VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:7.6V 電壓 - 擊穿（最小值）:9.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:14.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:34.5A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6110 1N6110A 1N6110AUS 1N6110US 1N6111 1N6111A 1N6111AUS 1N6111US 1N6112 1N6112A 1N6112AUS 1N6112US 1N6113 1N6113A 1N6113AUS 1N6113US 1N6114 1N6114A