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1N6110AV

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1N6110AV PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N6110AV 技術參數

1N6110AUS 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM 21VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:11.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.25V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:23.8A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6110A 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM 21VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:11.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.25V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:23.8A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6110 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:11.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:13.54V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:22.05V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:22.61A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6109US 功能描述:TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:9.9V 電壓 - 擊穿（最小值）:11.73V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.11V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:26.13A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6109AUS 功能描述:TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:9.9V 電壓 - 擊穿（最小值）:12.35V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:18.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:27.5A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6113 1N6113A 1N6113AUS 1N6113US 1N6114 1N6114A 1N6114AUS 1N6114US 1N6115 1N6115A 1N6115AUS 1N6115US 1N6116 1N6116A 1N6116AUS 1N6116US 1N6117 1N6117A