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1N6118AUSV

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1N6118AUSV PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N6118AUSV 技術參數

1N6118AUS 功能描述:TVS DIODE 25.1VWM 45.7VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:25.1V 電壓 - 擊穿（最小值）:31.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:45.7V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10.9A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6118A 功能描述:TVS DIODE 25.1VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:25.1V 電壓 - 擊穿（最小值）:31.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:45.7V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10.9A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6118 功能描述:TVS DIODE 25.1VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:25.1V 電壓 - 擊穿（最小值）:29.83V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.99V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:13.36A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6117US 功能描述:TVS DIODE 22.8VWM SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:22.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:27.08V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:43.68V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:11.4A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6117AUS 功能描述:TVS DIODE 22.8VWM 41.6VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:22.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:28.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:12A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6120US 1N6121 1N6121A 1N6121AUS 1N6121US 1N6122 1N6122A 1N6122AUS 1N6122US 1N6123 1N6123A 1N6123AUS 1N6123US 1N6124 1N6124A 1N6124AUS 1N6124US 1N6125