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1N6119AX

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1N6119AX 技術參數

1N6119AUS/TR 功能描述:BI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售類型:齊納雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:27.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:34.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:49.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:100 1N6119AUS 功能描述:TVS DIODE 27.4VWM 49.9VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:27.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:34.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:49.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6119A 功能描述:TVS DIODE 27.4VWM 49.9VC AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:27.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:34.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:49.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6119 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N6118US 功能描述:TVS DIODE 25.1VWM SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:25.1V 電壓 - 擊穿（最小值）:29.83V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.99V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10.36A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6122 1N6122A 1N6122AUS 1N6122US 1N6123 1N6123A 1N6123AUS 1N6123US 1N6124 1N6124A 1N6124AUS 1N6124US 1N6125 1N6125A 1N6125AUS 1N6125US 1N6126 1N6126A