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1N6337BD2B.CVB

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1N6337BD2B.CVB 技術參數(shù)
  • 1N6337 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N6336 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N6335US 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW B-SQ MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 1N6335 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N6334US 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW B-SQ MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):27 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 1N6342 1N6342US 1N6343 1N6343US 1N6344 1N6344US 1N6345US 1N6346 1N6346US 1N6347 1N6347US 1N6348 1N6348US 1N6349 1N6349US 1N6350 1N6350US 1N6351
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